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FMG7A PDF预览

FMG7A

更新时间： 2024-02-11 07:20:05
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-25

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FMG7A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74A包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.8Is Samacsys：N
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

FMG7A 数据手册

 浏览型号FMG7A的Datasheet PDF文件第2页 
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N /  
FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N  
FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8A  
zFeatures  
1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package.  
zEquivalent circuit  
EMG4 / UMG4N  
EMH4 / UMH4N  
UMG7N  
UMH8N  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
(4)  
(5)  
(4)  
(5)  
(4)  
(5)  
(6)  
(6)  
(4) (5)  
(6)  
(6)  
FMG4A  
IMH4A  
FMG7A  
IMH8A  
(4)  
(5)  
(3)  
(4)  
(5)  
(4)  
(5)  
(3)  
(4)  
(5)  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
(2)  
(1)  
(2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3) (2)  
(1)  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
V
5
V
Collector current  
I
C
100  
mA  
1
2
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N  
Power  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Pd  
mW  
dissipation  
FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
50  
50  
5
Typ.  
−
Max.  
−
Conditions  
Unit  
V
I
C
=50µA  
=1mA  
−
−
V
I
I
C
−
−
V
E
=50µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
600  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
−
I
C
/I  
CE=5V, I  
CE=10V, I  
B
=10mA/1mA  
h
100  
−
250  
250  
10  
−
V
V
C
=1mA  
Transition frequency  
f
T
MHz  
kΩ  
E
=−5mA, f=100MHz  
Input resistance  
R1  
7
13  
−
Transition frequency of the device.  
12

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