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FMEN-2208

更新时间: 2024-01-15 20:53:30
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 167K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 80V V(RRM), Silicon,

FMEN-2208 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.76 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:120 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:80 V
最大反向电流:200 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

FMEN-2208 数据手册

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SANKEN ELECTRIC CO., LTD.  
FMEN-2208  
Scope  
The present specifications shall apply to FMEN-2208.  
Outline  
Type  
Silicon Schottky Barrier Diode  
Resin Molded  
Structure  
Applications  
High Frequency Rectification  
Flammability  
UL94V-0(Equivalent)  
Absolute maximum ratings  
No.  
1
Item  
Symbol Unit  
Rating  
Conditions  
PT 500 ns  
Duty 1/40 *1  
Transient Peak Reverse Voltage  
Peak Reverse Voltage  
VRSM  
VRM  
IF(AV)  
IFSM  
I2t  
V
V
85  
2
80  
20  
Refer to derating curve  
in Section 7  
3
Average Forward Current  
Peak Surge Forward Current  
I2t Limiting Value  
A
10 ms.  
4
A
120  
Half sine wave, one shot  
5
A2s  
°C  
°C  
72  
1 ms t 10 ms  
6
Junction Temperature  
Tj  
-40 to +150  
7
Storage Temperature  
Tstg  
-40 to +150  
*1  
VRM  
VRSM  
No.1, 2, 4 and 5 show ratings per one chip.  
PT  
T
Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)  
Value  
No.  
1
Item  
Symbol Unit  
Conditions  
Forward Voltage Drop  
Reverse Leakage Current  
VF  
IR  
V
0.76 max.  
200 max.  
100 max.  
4.0 max.  
IF=10A  
2
uA  
mA  
VR=VRM  
Reverse Leakage Current Under  
High Temperature  
3
VR=VRM, Tj=150°C  
HIR  
Between Junction and case  
4
Thermal Resistance  
Rth(j-c) °C /W  
No.1, 2 and 3 show characteristics per one chip.  
071227  
14  
61426-01  

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