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FMD40-06KC

更新时间： 2024-11-20 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		散热片
页数	文件大小	规格书
3页	140K
描述
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。这些器件经过了雪崩评级，因此可确保稳定可靠的运行。功能与特色: 应用: 优点:

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FMD40-06KC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	JESD-609代码：	e1
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

FMD40-06KC 数据手册

Advanced Technical Information

FMD 40-06KC

I_D25= 38 A

HiPerFET^TM

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFETs

-Boost Chopper Topology-

V_DSS= 600 V

R_DSon= 60 mΩ

in ISOPLUS i4-PAC^TM

Features

MOSFET

• fast CoolMOS^{™ 1)}power MOSFET

3^rdgeneration

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

- high blocking voltage

- low on resistance

T_VJ= 25°C to 150°C

600

-lowthermalsresistanceduetoreduced

chip thickness

V_GS

• HiPerDyn^™FRED

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

- consisting of series connected diodes

- enhanced dynamic behaviour for

high frequency operation

• ISOPLUS i4-PAC^™package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins

and heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V;I_D= 20 A

70 mΩ

3.9

- industry standard outline

- UL registered, E 72873

V_DS= 20 V;I_D= 2.7 mA

2.1

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

25 µA

µA

Applications

250

• chopper for power factor correction

• supply of high frequency transformer

- switched mode power supplies

- welding converters

I_GSS

V_GS= 20 V; V_DS= 0 V

200 nA

Q_g

Q_gs

Q_gd

250

120

V_GS= 10 V; V_DS= 350 V; I_D= 47 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

110

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Infineon Technologies AG.

V_GS= 10 V; V_DS= 380 V;

I_D= 47 A; R_G= 1.8 Ω

V_F

(reverse conduction) I_F= 20 A;V_GS= 0 V

0.9

R_thJC

R_thJS

0.45 K/W

K/W

tbd

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080526a

1 - 2

12 3

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与FMD40-06KC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMD-4204S	SANKEN	获取价格	Silicon Diode
FMD-4204S	ALLEGRO	获取价格	Rectifier Diode, 10A, 400V V(RRM)
FMD-4206S	SANKEN	获取价格	高速整流二极管通过降低正向压降损耗和开关损耗，有助于提高开关电源的效率并降低开关噪声。
FMD47-06KC5	IXYS	获取价格	CoolMOS Pow er MOSFET with HiPerDyn FRED Buck and Boost Topologies
FMD47-06KC5	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
FMD4S	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED MINI FAST RECOVERY SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE R
FMD4S-S	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 0.5A, 400V V(RRM),
FMD4S-W	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MD-S
FMD5S	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED MINI FAST RECOVERY SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE R
FMD5S-S	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 0.5A, 600V V(RRM),

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