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FMD15-06KC5

更新时间： 2024-09-16 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		散热片
页数	文件大小	规格书
4页	144K
描述
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。这些器件经过了雪崩评级，因此可确保稳定可靠的运行。功能与特色: 应用: 优点:

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FMD15-06KC5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

FMD15-06KC5 数据手册

FMD 15-06KC5

FDM 15-06KC5

Advanced Technical Information

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

with HiPerDyn ™ FRED

I_D25

V_DSS

15 A

= 600 V

R_{DS(on) max}= 0.165 Ω

Buck and Boost Topologies

ISOPLUS i4^™

Electrically isolated back surface

2500 V electrical isolation

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, high V_DSSMOSFET

Ultra low gate charge

isolated back

surface

E72873

FMD

FDM

Features

MOSFET T

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- high power dissipation

- isolated mounting surface

- 2500 V electrical isolation

- low drain to tab capacitance (< 40 pF)

• Fast CoolMOS^{™ 1)}power MOSFET 4^th

generation

- high blocking capability

- lowest resistance

- avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- low thermal resistance

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

• HiPerDyn™ FRED

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C

600

V_GS

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

E_AS

E_AR

single pulse

repetitive

522

0.79

I_D= 7.9 A; T_C= 25°C

dV/dt

MOSFET dV/dt ruggedness V_DS= 0...480 V

50 V/ns

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min.

typ. max.

- consisting of series connected diodes

- enhanced dynamic behaviour for

high frequency operation

R_DSon

V_GS(th)

I_DSS

V_GS= 10 V; I_D= 12 A

V_DS= V_GS; I_D= 0.79 mA

V_DS= 600 V; V_GS= 0 V

150

165

3.5

mΩ

2.5

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

µA

Applications

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

100

• Switched mode power supplies

(SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

C_iss

C_oss

V_GS= 0 V; V_DS= 100 V

f = 1 MHz

2000

100

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_GS= 0 to 10 V; V_DS= 400 V; I_D= 12 A

Advantages

• Easy assembly:

no screws or isolation foils required

• Space savings

• High power density

• High reliability

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

E_{rec off}

tbd

V_GS= 10 V; V_DS= 400 V

I_D= 12 A; R_G= 3.3 Ω

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

R_thJC

R_thCH

1.1 K/W

K/W

with heat transfer paste

0.35

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209c

1 - 3

12 3 4

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