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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMBS5551
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FMBS5551

更新时间： 2024-09-09 21:55:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 92K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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FMBS5551 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SUPERSOT-6, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

FMBS5551 数据手册

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FMBS5551  
NC  
NPN General Purpose Amplifier  
C1  
•
This device is designed for general purpose high voltage amplifiers  
and gas discharge display drivers.  
E
B
C
C
pin #1  
SuperSOTTM-6 single  
Mark: .3S1  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
160  
180  
6.0  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
V
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
600  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Sustaining Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
I
= 1.0mA, I = 0  
160  
180  
6.0  
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
C
I
V
V
= 120V, I = 0  
50  
50  
nA  
µA  
CB  
CB  
E
= 120V, I = 0, T = 100°C  
E
a
I
Emitter Cut-off Current  
V
= 4.0V, I = 0  
50  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
I
= 1.0mA, V = 5.0V  
80  
80  
30  
FE  
C
C
C
CE  
= 10mA, V = 5.0V  
250  
CE  
= 50mA, V = 5.0V  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 10mA, I = 1.0mA  
0.15  
0.2  
CE(sat)  
BE(sat)  
C
C
B
V
V
= 50mA, I = 5.0mA  
B
I
= 10mA, I = 1.0mA  
1.0  
1.0  
C
B
I
= 50mA, I = 5.0mA  
C
B
Small Signal Characteristics  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
I
= 10mA, V = 10, f = 100MHz  
100  
50  
300  
6.0  
20  
MHz  
pF  
T
C
CE  
C
C
V
V
= 10V, I = 0, f = 1.0MHz  
C
obo  
ibo  
fe  
CE  
BE  
= 0.5V, I = 0, f = 1.0MHz  
pF  
C
h
Small Single Current Gain  
Noise Figure  
I
I
= 1.0mA, V = 10V, f = 1.0KHz  
250  
8.0  
C
CE  
N
= 250µA, V = 5.0V,  
dB  
F
C
CE  
R
= 1.0KΩ, f = 10 Hz to 15.7KHz  
S
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2004  
123456

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FMBS5551 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMBM5551 FAIRCHILD

完全替代

 NPN General Purpose Amplifier

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