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FMBS549D87Z

更新时间： 2024-11-19 14:42:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	204K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-6

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FMBS549D87Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

FMBS549D87Z 数据手册

FMBS549

Package: SuperSOT-6 single

Mark : .S1

Pin 1

PNP Low Saturation Transistor

ThIs device is designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to

2A continous. Sourced from process PB.

Absolute Maximum Ratings*

T_A

= 25°C unless otherwise noted

Value

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current- Continuous

- Peak Pulse Current

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

T_J,T_STG

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics T_A

= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristics

Max

Units

Total Device Dissipation*

700

P_D

Thermal Resistance, Junction to Ambient, total

180

°C/W

R_qJA

*Device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.

ã 1999 Fairchild Semiconductor

fmbs549.lwp Rev A PrPB

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