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FMBS5401 PDF预览

FMBS5401

更新时间： 2024-09-09 21:55:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
6页 97K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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FMBS5401 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SUPERSOT-6, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

FMBS5401 数据手册

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FMBS5401  
NC  
PNP General Purpose Amplifier  
C1  
•
This device is designed as a general purpose amplifier and switch for  
applications requiring high voltage.  
E
B
C
C
pin #1  
SuperSOTTM-6 single  
Mark: .4S1  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Value  
-150  
-160  
-5.0  
Units  
V
V
V
V
CEO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
-600  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Notes:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
= -1.0mA, I = 0  
-150  
-160  
-5.0  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
= -100µA, I = 0  
C
E
I = -10µA, I = 0  
E
C
I
V
V
= -120V, I = 0  
-50  
-50  
nA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
E
= -120V, I = 0, T = 100°C  
E
a
I
Emitter Cutoff Current  
V
= -3.0V, I =0  
-50  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
I
= -1.0mA, V = -5.0V  
50  
60  
50  
FE  
C
CE  
I
I
= -10mA, V = -5.0V  
240  
C
C
CE  
= -50mA, V = -5.0V  
CE  
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= -10mA, I = -1.0mA  
-0.2  
-0.5  
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= -50mA, I = -5.0mA  
B
I
I
= -10mA, I = -1.0mA  
-1.0  
-1.0  
V
V
C
C
B
= -50mA, I = -5.0mA  
B
Small Signal Characterics  
f
Current Gain Bandwidth Product  
I
= -10mA, V = -10V,  
100  
300  
MHz  
T
C
CE  
f = 100MHz  
C
N
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
= -10V, I = 0, f = 1MHz  
6.0  
8.0  
pF  
dB  
ob  
F
CB  
E
I
= -250µA, V = -5.0V, R = 1.0KΩ  
CE S  
C
f = 10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, Octorber 2004  
123456

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FMBS5401 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMBM5401 FAIRCHILD

完全替代

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