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FMBM5401 PDF预览

FMBM5401

更新时间： 2024-09-09 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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FMBM5401 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.52
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FMBM5401 数据手册

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FMBM5401  
PNP General Purpose Amplifier  
•
This device has matched dies in SuperSOT-6.  
C2  
E1  
C1  
B2  
E2  
B1  
pin #1  
SuperSOTTM-6  
Mark: .4S2  
Absolute Maximum Ratings*  
Symbol  
Parameter  
Value  
-150  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
-160  
-5.0  
V
I
- Continuous  
-600  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may e impaired.  
Notes:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= -1.0mA, I = 0  
-150  
-160  
-5.0  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
C
C
B
= -100µA, I = 0  
E
= -10µA, I = 0  
C
I
V
V
= -120V, I = 0  
-50  
-50  
nA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
E
= -120V, I = 0, T = 100°C  
E
a
I
Emitter Cut-off Current  
V
= -3.0V, I = 0  
-50  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics*  
h
DC Current Gain  
Variation Ratio of h  
DC Current Gain  
Variation Ratio of h  
DC Current Gain  
Variation Ratio of h  
V
= -5V, I = -1mA  
50  
0.9  
60  
FE1  
CE  
C
DIVID1  
Between Die 1 and Die 2  
Between Die 1 and Die 2  
Between Die 1 and Die 2  
h
(Die1)/h (Die2)  
1.1  
240  
1.05  
FE1  
FE2  
FE3  
FE1  
FE1  
h
V
= -5V, I = -10mA  
CE C  
FE2  
DIVID2  
h
(Die1)/h (Die2)  
0.95  
50  
FE2  
FE2  
h
V
= -5V, I = -50mA  
CE C  
FE3  
DIVID3  
h
(Die1)/h (Die2)  
0.9  
1.1  
FE3  
FE3  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FMBM5401 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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FMBM5401 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMBM5401_SB74001 FAIRCHILD

完全替代

 Transistor
FMBS5401 FAIRCHILD

完全替代

 PNP General Purpose Amplifier

与FMBM5401相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMBM5401_SB74001 FAIRCHILD

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 		Transistor
FMBM5551 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN General Purpose Amplifier
FMBM5551 ONSEMI

获取价格

 		NPN通用放大器
FMBN04BD NKK

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 		Nonilluminated options in 4 or 16 keys, illuminated choices in 12 or 16 keys
FMBN04BE NKK

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FMBN16BD NKK

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FMBP12BF NKK

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FMBP16BF NKK

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 		Nonilluminated options in 4 or 16 keys, illuminated choices in 12 or 16 keys
FMBS2383 FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor

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