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FM93C56LZN

更新时间： 2024-10-31 22:48:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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(MICROWIRE⑩ Bus Interface) 2048-Bit Serial EEPROM with Data Protect and Sequential Read

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FM93C56LZN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	0.25 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.817 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	128 words
字数代码：	128	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.001 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

FM93C56LZN 数据手册

July 2000

FM93CS56

(MICROWIRE™ Bus Interface) 2048-Bit Serial EEPROM

with Data Protect and Sequential Read

General Description

Features

FM93CS56 is a 2048-bit CMOS non-volatile EEPROM organized

as 128 x 16-bit array. This device features MICROWIRE interface

which is a 4-wire serial bus with chipselect (CS), clock (SK), data

input (DI) and data output (DO) signals. This interface is compat-

ible to many of standard Microcontrollers and Microprocessors.

FM93CS56 offers programmable write protection to the memory

array using a special register called Protect Register. Selected

memory locations can be protected against write by programming

this Protect Register with the address of the first memory location

to be protected (all locations greater than or equal to this first

addressarethenprotectedfromfurtherchange). Additionally, this

address can be “permanently locked” into the device, making all

future attempts to change data impossible. In addition this device

features “sequential read”, by which, entire memory can be read

in one cycle instead of multiple single byte read cycles. There are

10 instructions implemented on the FM93CS56, 5 of which are for

memory operations and the remaining 5 are for Protect Register

operations. This device is fabricated using Fairchild Semiconduc-

torfloating-gateCMOSprocessforhighreliability,highendurance

and low power consumption.

I Wide V_CC2.7V - 5.5V

I Programmable write protection

I Sequential register read

I Typical active current of 200µA

10µA standby current typical

1µA standby current typical (L)

0.1µA standby current typical (LZ)

I No Erase instruction required before Write instruction

I Self timed write cycle

I Device status during programming cycles

I 40 year data retention

I Endurance: 1,000,000 data changes

I Packages available: 8-pin SO, 8-pin DIP, 8-pin TSSOP

“LZ” and “L” versions of FM93CS56 offer very low standby current

makingthemsuitableforlowpowerapplications.Thisdeviceisoffered

in both SO and TSSOP packages for small space considerations.

Functional Diagram

V_CC

INSTRUCTION

DECODER

CONTROL LOGIC

AND CLOCK

PRE

INSTRUCTION

GENERATORS

COMPARATOR

AND

WRITE ENABLE

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

AND

PROGRAM

TIMER

ADDRESS

PROTECT

DECODER

EEPROM ARRAY

READ/WRITE AMPS

V_SS

DATA IN/OUT REGISTER

16 BITS

DATA OUT BUFFER

FM93CS56 Rev. C.1

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7...16

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