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FM5822-W PDF预览

FM5822-W

更新时间： 2024-09-29 20:38:31
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 26K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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FM5822-W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AB
包装说明：SMC, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.46 V
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向电流：80 µA
反向测试电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FM5822-W 数据手册

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FM5820  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
FM5822  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 3.0 Amperes  
FEATURES  
* Ideal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.24 gram  
DO-214AB  
MECHANICAL DATA  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
(
)
0.125 3.17  
(
)
)
0.245 6.22  
(
)
0.115 2.92  
(
0.220 5.59  
(
)
0.280 7.11  
(
)
0.260 6.60  
(
)
0.012 0.305  
(
)
0.006 0.152  
(
)
)
0.103 2.62  
(
0.079 2.06  
(
)
0.060 1.52  
(
)
0.008 0.203  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
0.030 0.76  
(
)
0.004 0.102  
(
)
)
0.320 8.13  
(
0.305 7.75  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
FM5820  
FM5821  
FM5822  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
V
V
RRM  
RMS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
V
DC  
O
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at Derating Lead Temperature  
I
3.0  
80  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Amps  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Rθ JA  
25  
200  
0C/W  
pF  
0 C  
CJ  
J
-55 to + 150  
T
Storage Temperature Range  
T
STG  
-55 to + 150  
0 C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A DC  
Maximum Average Reverse Current  
SYMBOL  
FM5820  
.475  
FM5821  
.500  
FM5822  
.525  
UNITS  
Volts  
V
F
@T  
@T  
NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient).  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
A
= 25oC  
= 100oC  
2.0  
20  
mAmps  
mAmps  
I
R
at Rated DC Blocking Voltage  
A
2002-10  
123

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