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FM5822-A

更新时间： 2024-11-15 22:48:59
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管
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2页 70K
描述
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

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FM5822-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.09其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：500 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

FM5822-A 数据手册

 浏览型号FM5822-A的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Schottky Barrier Diodes  
Formosa MS  
FM5822-A  
Silicon epitaxial planer type  
Features  
SMA  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-OUtilizing Flame  
Retardant EpoxyMolding Compound.  
0.185(4.8)  
0.173(4.4)  
0.012(0.3) Typ.  
0.110(2.8)  
0.094(2.4)  
For surface mounted applications.  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.165(4.2)  
0.150(3.8)  
Low leakage current.  
0.067(1.7)  
0.060(1.5)  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Mechanical data  
Case : Molded plastic, JEDEC DO-214AC  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by cathode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.0015 ounce, 0.15 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
3.0  
UNIT  
Forward rectified current  
See Fig.1  
IO  
VF  
VF  
VF  
VF  
A
V
V
V
V
o
IF = 1 A , TA = 25 C  
0.42  
0.49  
0.34  
0.43  
o
IF = 2 A , TA = 25 C  
Forward voltage  
o
IF = 1 A , TA = 125 C  
o
IF = 2 A , TA = 125 C  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
80  
A
peak reverse voltage  
RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VR  
40  
28  
V
V
Continuous reverse voltage  
40  
V
o
VR = VRRM TA = 25 C  
0.5  
20  
mA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 125 C  
mA  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
RqJA  
CJ  
80  
C / w  
pF  
Diode junction capacitance  
Operating temperature  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
250  
o
TJ  
-55  
-55  
+150  
+150  
C
o
TSTG  
C
12

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FM5822B RECTRON

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