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FM3100

更新时间： 2024-11-10 22:31:59
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美丽微 - FORMOSA /
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Silicon epitaxial planer type

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FM3100 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.5
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL

FM3100 数据手册

 浏览型号FM3100的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Schottky Barrier Diodes  
Formosa MS  
FM320 THRU FM3100  
Silicon epitaxial planer type  
Features  
SMC  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-OUtilizing Flame  
Retardant EpoxyMolding Compound.  
0.276(7.0)  
0.260(6.6)  
0.012(0.3) Typ.  
0.152(3.8)  
0.144(3.6)  
0.189(4.8)  
0.173(4.4)  
For surface mounted applications.  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.244(6.2)  
0.228(5.8)  
Low leakage current.  
0.087(2.2)  
0.071(1.8)  
0.032(0.8) Typ.  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Mechanical data  
Case : Molded plastic, JEDEC DO-214AB  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by cathode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.00585 ounce, 0.195 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
3.0  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.1  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
80  
A
o
VR = VRRM TA = 25 C  
0.5  
20  
mA  
mA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 125 C  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
Rq  
55  
C / w  
pF  
JA  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
CJ  
250  
o
TSTG  
-55  
+150  
C
Operating  
*1  
*2  
*3  
*4  
MARKING  
V
V
V
V
RRM  
RMS  
R
F
temperature  
SYMBOLS  
CODE  
o
( C)  
(V)  
20  
(V)  
14  
(V)  
20  
(V)  
FM320  
FM330  
FM340  
FM350  
FM360  
FM380  
FM3100  
SS32  
SS33  
SS34  
SS35  
SS36  
SS38  
S310  
30  
40  
21  
28  
35  
42  
56  
70  
30  
40  
0.50  
-55 to +125  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
50  
50  
*3 Continuous reverse voltage  
*4 Maximum forward voltage  
0.75  
60  
60  
-55 to +150  
80  
80  
0.85  
100  
100  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM3100A RECTRON

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 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 3.0 A;Max Surge Current : 100 A;Forward Vo
FM3100-A FORMOSA

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 		Silicon epitaxial planer type
FM3100-AL FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM3100-ALN FORMOSA

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 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM3100-AN FORMOSA

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FM3100AV RECTRON

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 		Rectifier Diode,
FM3100AV-T RECTRON

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