是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.13 | Is Samacsys: | N |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 8 |
混合内存类型: | N/A | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512X8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | AEC-Q100 | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FM25L04B-GA | CYPRESS |
完全替代 |
4Kb Serial 3V F-RAM Memory | |
FM24CL04B-G | CYPRESS |
类似代替 |
4Kb Serial 3V F-RAM Memory | |
FM24C04B-G | CYPRESS |
类似代替 |
4Kb Serial 5V F-RAM Memory |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FM25L04B-GTR | RAMTRON |
获取价格 |
4Kb Serial 3V F-RAM Memory | |
FM25L04B-GTR | INFINEON |
获取价格 |
铁电存储器 (F-RAM) | |
FM25L04-DG | RAMTRON |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, 3 X 6.40 MM, 0.65 MM PITCH, GREEN, TDFN-8 | |
FM25L04-DGTR | RAMTRON |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, 3 X 6.40 MM, 0.65 MM PITCH, GREEN, TDFN-8 | |
FM25L04-G | ETC |
获取价格 |
4Kb FRAM Serial 3V Memory | |
FM25L04-GA | RAMTRON |
获取价格 |
Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8 | |
FM25L04-GTR | RAMTRON |
获取价格 |
暂无描述 | |
FM25L04-S | ETC |
获取价格 |
4Kb FRAM Serial 3V Memory | |
FM25L04-STR | RAMTRON |
获取价格 |
暂无描述 | |
FM25L16 | RAMTRON |
获取价格 |
16Kb FRAM Serial 3V Memory |