FM25C160B-G

更新时间： 2024-09-26 12:46:19

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
14页	408K
描述
16Kb Serial 5V F-RAM Memory

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FM25C160B-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.75
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	471434	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：	8-PIN SOIC (150 mils) 51-85066	Samacsys Released Date：	2017-04-08 16:59:43
Is Samacsys：	N	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	4.9 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

FM25C160B-G 数据手册

FM25C160B

16Kb Serial 5V F-RAM Memory

Features

Sophisticated Write Protection Scheme

Hardware Protection

16K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM

Organized as 2,048 x 8 bits

Software Protection

High Endurance 1 Trillion (10¹²) Read/Writes

38 year Data Retention

Low Power Consumption

250 A Active Current (1 MHz)

4 A (typ.) Standby Current

NoDelay™ Writes

Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI

Up to 20 MHz maximum Bus Frequency

Direct hardware replacement for EEPROM

SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)

Industry Standard Configuration

Industrial Temperature -40 C to +85 C

8-pin “Green”/RoHS SOIC (-G)

Description

Pin Configuration

The FM25C160B is a 16-kilobit nonvolatile memory

employing an advanced ferroelectric process. A

ferroelectric random access memory or F-RAM is

nonvolatile but operates in other respects as a RAM.

It provides reliable data retention for 38 years while

eliminating the complexities, overhead, and system

level reliability problems caused by EEPROM and

other nonvolatile memories.

VDD

HOLD

SCK

VSS

The FM25C160B performs write operations at bus

speed. No write delays are incurred. Data is written to

the memory array immediately after it has been

successfully transferred to the device. The next bus

cycle may commence immediately without the need

for data polling. The FM25C160B is capable of

supporting up to 10¹²read/write cycles, or a million

times more write cycles than EEPROM.

Pin Name

/CS

/WP

/HOLD

SCK

VDD

VSS

Function

Chip Select

Write Protect

Hold

Serial Clock

Serial Data Input

Serial Data Output

These capabilities make the FM25C160B ideal for

nonvolatile memory applications requiring frequent

or rapid writes. Examples range from data collection,

where the number of write cycles may be critical, to

demanding industrial controls where the long write

time of EEPROM can cause data loss.

Ground

Ordering Information

The FM25C160B provides substantial benefits to

users of serial EEPROM, in a hardware drop-in

replacement. The FM25C160B uses the high-speed

SPI bus, which enhances the high-speed write

capability of F-RAM technology. The specifications

are guaranteed over an industrial temperature range

of -40°C to +85°C.

FM25C160B-G

“Green” 8-pin SOIC

“Green” 8-pin SOIC,

Tape & Reel

FM25C160B-GTR

This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron standard warranty. The product has completed Ramtron’s

internal qualification testing and has reached production status.

Cypress Semiconductor Corporation

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Document Number: 001-84472 Rev. *A

Revised March 07, 2013

12 3 4 5 6 7...14

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FM25C160B-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FM25C160B-GTR	CYPRESS	完全替代	16Kb Serial 5V F-RAM Memory

与FM25C160B-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FM25C160B-GA	CYPRESS	获取价格	Memory Circuit, 2KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM25C160B-GTR	CYPRESS	获取价格	16Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25C160B-GTR	INFINEON	获取价格	铁电存储器 (F-RAM)
FM25C160C	RAMTRON	获取价格	16Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25C160C-G	RAMTRON	获取价格	16Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25C160C-GTR	RAMTRON	获取价格	16Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25C160-G	RAMTRON	获取价格	Memory Circuit, 2KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM25C160-GA	RAMTRON	获取价格	16Kb FRAM Serial Memory
FM25C160-GTR	RAMTRON	获取价格	Memory Circuit, 2KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM25C160-P	ETC	获取价格	IC 16K SERIAL FRAM

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