5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> FM25640B-GTR
FM25640B-GTR PDF预览

FM25640B-GTR

更新时间： 2024-11-30 12:46:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 400K
描述
64Kb Serial 5V F-RAM Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

FM25640B-GTR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：0.82
Is Samacsys：NJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大待机电流：0.00001 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

FM25640B-GTR 数据手册

 浏览型号FM25640B-GTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FM25640B-GTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM25640B-GTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM25640B-GTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM25640B-GTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM25640B-GTR的Datasheet PDF文件第7页 
FM25640B  
64Kb Serial 5V F-RAM Memory  
Features  
Sophisticated Write Protection Scheme  
64K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Hardware Protection  
Software Protection  
Organized as 8,192 x 8 bits  
High Endurance 1 Trillion (1012) Read/Writes  
38 Year Data Retention  
Low Power Consumption  
NoDelay™ Writes  
Advanced high-reliability ferroelectric process  
250 A Active Current (1 MHz)  
4 A (typ.) Standby Current  
Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI  
Industry Standard Configuration  
Up to 20 MHz maximum bus frequency  
Direct hardware replacement for EEPROM  
SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)  
Industrial Temperature -40C to +85C  
8-pin “Green”/RoHS SOIC (-G)  
Description  
Pin Configuration  
The FM25640B is a 64-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides reliable data retention for 38 years while  
eliminating the complexities, overhead, and system  
level reliability problems caused by EEPROM and  
other nonvolatile memories.  
1
8
7
6
5
CS  
VDD  
HOLD  
SCK  
SI  
2
SO  
3
WP  
4
VSS  
The FM25640B performs write operations at bus  
speed. No write delays are incurred. Data is written to  
the memory array immediately after it has been  
successfully transferred to the device. The next bus  
cycle may commence immediately without the need  
for data polling. The FM25640B is capable of  
supporting up to 1012 read/write cycles, or a million  
times more write cycles than EEPROM.  
Pin Names  
/CS  
/HOLD  
/WP  
SCK  
SI  
SO  
Function  
Chip Select  
Hold  
Write Protect  
Serial Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
5V  
These capabilities make the FM25640B ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection,  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss.  
VDD  
VSS  
Ground  
Ordering Information  
FM25640B-G  
FM25640B-GTR  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC,  
Tape & Reel  
The FM25640B provides substantial benefits to users  
of serial EEPROM, in  
a
hardware drop-in  
replacement. The FM25640B uses the high-speed SPI  
bus, which enhances the high-speed write capability  
of F-RAM technology. The specifications are  
guaranteed over an industrial temperature range of  
-40°C to +85°C.  
This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron standard warranty. The product has completed Ramtron’s  
internal qualification testing and has reached production status.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Document Number: 001-84468 Rev. *A  
Revised March 07, 2013  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

FM25640B-GTR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FM25640B-G CYPRESS

完全替代

 64Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25CL64B-G CYPRESS

类似代替

 64Kb Serial 3V F-RAM Memory

与FM25640B-GTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM25640C RAMTRON

获取价格

 		64Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25640C-G RAMTRON

获取价格

 		64Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25640C-GTR RAMTRON

获取价格

 		64Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25640-G RAMTRON

获取价格

 		64Kb FRAM Serial Memory
FM25640-GA RAMTRON

获取价格

 		64Kb FRAM Serial Memory
FM25640-P ETC

获取价格

 		IC 64K SERIAL FRAM
FM25640-S RAMTRON

获取价格

 		64Kb FRAM Serial Memory
FM25640-STR RAMTRON

获取价格

 		暂无描述
FM25C020 FAIRCHILD

获取价格

 		2K-Bit SPI⑩ Interface Serial CMOS EEPROM
FM25C020U FAIRCHILD

获取价格

 		2K-Bit SPI⑩ Interface Serial CMOS EEPROM

与FM25640B-GTR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证