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FM24CL64B-GATR PDF预览

FM24CL64B-GATR

更新时间： 2024-09-23 12:06:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储
页数 文件大小 规格书
13页 342K
描述
64Kb Serial 3V F-RAM Memory

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FM24CL64B-GATR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.26JESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8混合内存类型：N/A
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.75 mm最大待机电流：0.00002 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.00034 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3.9 mm

FM24CL64B-GATR 数据手册

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AEC Q100 Grade 1 Compliant  
FM24CL64B - Automotive Temp.  
64Kb Serial 3V F-RAM Memory  
Features  
Low Power Consumption  
64K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Organized as 8192 x 8 bits  
Low Voltage Operation 3.0-3.6V  
6 A Standby Current (+85 C)  
High Endurance 10 Trillion (1013) Read/Writes  
NoDelay™ Writes  
Industry Standard Configuration  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Automotive Temperature -40 C to +125 C  
o
Qualified to AEC Q100 Specification  
Fast Two-wire Serial Interface  
8-pin “Green”/RoHS SOIC Package  
Up to 1 MHz maximum bus frequency  
Direct hardware replacement for EEPROM  
Supports legacy timing for 100 kHz & 400 kHz  
package using a familiar two-wire (I2C) protocol. The  
device is guaranteed over the automotive temperature  
range of -40°C to +125°C.  
Description  
The FM24CL64B is a 64Kbit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile and performs reads and writes like a  
RAM. It provides reliable data retention for years  
while eliminating the complexities, overhead, and  
system level reliability problems caused by  
EEPROM and other nonvolatile memories.  
Pin Configuration  
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD  
WP  
A0  
A1  
A2  
SCL  
SDA  
The FM24CL64B performs write operations at bus  
speed. No write delays are incurred. The next bus  
cycle may commence immediately without the need  
for data polling. In addition, the product offers write  
endurance orders of magnitude higher than  
EEPROM. Also, F-RAM exhibits much lower power  
during writes than EEPROM since write operations  
do not require an internally elevated power supply  
voltage for write circuits.  
VSS  
Pin Name  
A0-A2  
SDA  
Function  
Device Select Address  
Serial Data/address  
Serial Clock  
SCL  
WP  
VDD  
VSS  
Write Protect  
Supply Voltage  
Ground  
These capabilities make the FM24CL64B ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss. The  
combination of features allows more frequent data  
writing with less overhead for the system.  
Ordering Information  
FM24CL64B-GA  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC,  
Automotive Grade 1  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC,  
Automotive Grade 1,  
Tape & Reel  
FM24CL64B-GATR  
The FM24CL64B provides substantial benefits to  
users of serial EEPROM, yet these benefits are  
available in a hardware drop-in replacement. The  
device is available in industry standard 8-pin SOIC  
This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron standard warranty. The product has completed Ramtron’s  
internal qualification testing and has reached production status.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Document Number: 001-84457 Rev. *A  
Revised March 07, 2013  
1234567...13

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FM24CL64B-GATR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FM25640B-G CYPRESS

类似代替

 64Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM25CL64B-G CYPRESS

类似代替

 64Kb Serial 3V F-RAM Memory

与FM24CL64B-GATR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM24CL64B-GTR RAMTRON

获取价格

 		Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM24CL64B-GTR INFINEON

获取价格

 		铁电存储器 (F-RAM)
FM24CL64-DG RAMTRON

获取价格

 		64Kb Serial 3V FRAM Memory
FM24CL64-DGTR RAMTRON

获取价格

 		暂无描述
FM24CL64-G RAMTRON

获取价格

 		64Kb Serial 3V FRAM Memory
FM24CL64-GTR RAMTRON

获取价格

 		Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM24CL64-S RAMTRON

获取价格

 		64Kb Serial 3V FRAM Memory
FM24CZ16-C ETC

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 		NVRAM (Ferroelectric Based)
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