是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, DIP8,.3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 3000 ns |
其他特性: | FERROELECTRIC RAM; 2 WIRE I2C SERIAL INTERFACE | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | OPEN-DRAIN |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00006 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.0003 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FM24164-PS | ETC |
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NVRAM (Ferroelectric Based) | |
FM24164-PT | ETC |
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NVRAM (Ferroelectric Based) | |
FM24164-S | RAMTRON |
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Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDSO8 | |
FM2-46 | ETC |
获取价格 |
GENERAL-PURPOSE PHOTOVOLTAIC CELL | |
FM-24C | ETC |
获取价格 |
Highouput, High reliability | |
FM24C02 | FAIRCHILD |
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4K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface Serial EEPROM | |
FM24C02A | FM |
获取价格 |
EEPROM | |
FM24C02B | FM |
获取价格 |
EEPROM | |
FM24C02C | FM |
获取价格 |
EEPROM | |
FM24C02U | FAIRCHILD |
获取价格 |
2K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface Serial EEPROM |