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FM1808S-150S

更新时间： 2024-09-25 20:52:15
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 68K
描述
Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28

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FM1808S-150S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP, SOP28,.45Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.73
最长访问时间：150 ns其他特性：FERROELECTRIC RAM
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：18.525 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.45
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3 mm最大待机电流：0.000025 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：8.4 mmBase Number Matches：1

FM1808S-150S 数据手册

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FM1808S FRAM® Memory  
262,144-Bit Nonvolatile Ferroelectric RAM  
Product Preview  
Features  
■ JEDEC Standard 21-C Write Protection (Entire Memory)  
and Selectable 4K Byte Write Protection  
■ Single 3 Volt Supply (2.7V to 3.6V)  
■ Low Power Consumption  
- Active Current: 20mA Typical  
- Standby Current: 15µA Typical  
■ CMOS Compatible I/O Pins  
■ SOP and TSOP Packages  
■ 0° to +70°C Ambient Operating Temperature Range  
■ 256K Nonvolatile Ferroelectric RAM  
Organized as 32,768 words x 8 bits  
■ CMOS Technology with Integrated Ferroelectric Storage Cells  
■ Fully Synchronous Operation  
- 150ns Read Access  
- 235ns Read/Write Cycle Time  
- 1012 Read/Write Cycle Endurance  
■ 10 Year Data Retention  
Description  
The ferroelectric cells are polarized on each read or write cycle,  
therefore no special store or recall sequence is required. The  
memory is always static and nonvolatile.  
Ramtron's FRAM products operate from a single 3 volt power  
supply and are CMOS compatible on all inputs and outputs. The  
FM1808S utilizes the JEDEC standard bytewide SRAM pinout.  
®
The FM1808S is a ferroelectric RAM, or FRAM memory,  
organized as 32k words x 8 bits. FRAM memory products from  
Ramtron combine the read/write characteristics of semiconductor  
RAM with nonvolatile storage.  
This product is manufactured in a 0.8 micron silicon gate CMOS  
technology with the addition of integrated thin film ferroelectric  
storage cells developed and patented by Ramtron.  
Pin Configuration  
SOP  
Functional Diagram  
CE  
A
1
2
3
4
5
6
7
8
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19 I/O  
18 I/O  
6
17 I/O  
16 I/O  
4
V
CC  
14  
A
WE  
12  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
7
13  
A
6
8
A
9
5
A
1,024 x 256  
FRAM  
11  
4
OE  
3
A
0-7,13,14  
A
10  
2
Memory  
Array  
9
CE  
1
10  
11  
12  
13  
0
7
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
5
Column Decoder  
2
GND 14  
15 I/O  
3
TSOP  
A
8-12  
A
CE  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
GND  
I/O  
OE  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
1
2
3
4
5
10  
A
11  
A
7
9
A
8
I/O  
6
I/O Latch  
0-7  
A
6
13  
WE  
4
V
CC  
3
WE  
OE  
Control Logic &  
Block Protect  
A
14  
A
2
12  
I/O  
1
I/O  
A
0
A
7
A
6
0
A
5
A
A
4
6
1
A
2
A
8
7
3
This product was jointly developed by Ramtron International Corporation  
and Hitachi Limited.  
© 1995 Ramtron International Corporation, 1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
Telephone (800) 545-FRAM, (719) 481-7000; Fax (719) 488-9095 R9 November 1995  
This document describes a product under development. Ramtron reserves the right to  
change or discontinue this product without notice.  
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与FM1808S-150S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM1808S150T ETC

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 		NVRAM (Ferroelectric Based)
FM1808S-150T RAMTRON

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 		Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP1-28
FM180B RECTRON

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 80 to 100 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FM180B-HF RECTRON

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 		Rectifier Diode,
FM180B-T-HF RECTRON

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FM180BV-T RECTRON

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