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FM1808B

更新时间： 2024-01-20 15:58:34
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储
页数 文件大小 规格书
12页 336K
描述
256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory

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FM1808B 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP28,.4
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：1.59Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e3长度：17.9 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8混合内存类型：N/A
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

FM1808B 数据手册

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Pre-Production  
FM1808B  
256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory  
Features  
SRAM & EEPROM Compatible  
JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM pinout  
70 ns Access Time  
256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Organized as 32,768 x 8 bits  
High Endurance 1 Trillion (1012) Read/Writes  
38 year Data Retention (@ 75°C)  
NoDelay™ Writes  
130 ns Cycle Time  
Low Power Operation  
15 mA Active Current  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
25 A (typ.) Standby Current  
Superior to BBSRAM Modules  
No Battery Concerns  
Industry Standard Configuration  
Industrial Temperature -40 C to +85 C  
28-pin “Green”/RoHS SOIC Package  
Monolithic Reliability  
True Surface Mount Solution, No Rework Steps  
Superior for Moisture, Shock, and Vibration  
Resistant to Negative Voltage Undershoots  
Description  
Pin Configuration  
The FM1808B is a 256-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides data retention for 38 years while  
eliminating the reliability concerns, functional  
disadvantages and system design complexities of  
battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing  
and high write endurance make F-RAM superior to  
other types of nonvolatile memory.  
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VDD  
WE  
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6
A4  
A11  
OE  
7
A3  
In-system operation of the FM1808B is very similar  
to other RAM devices. Minimum read- and write-  
cycle times are equal. The F-RAM memory, however,  
is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory  
process. Unlike BBSRAM, the FM1808B is a truly  
monolithic nonvolatile memory. It provides the same  
functional benefits of a fast write without the  
disadvantages associated with modules and batteries  
or hybrid memory solutions.  
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A2  
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CE  
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14  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
These capabilities make the FM1808B ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes in a bytewide environment. The  
availability of a true surface-mount package improves  
the manufacturability of new designs. Device  
specifications are guaranteed over an industrial  
temperature range of -40°C to +85°C.  
Ordering Information  
FM1808B-SG  
28-pin “Green”/RoHS SOIC  
This is a product in the pre-production phase of development. Device characterization is complete and Ramtron does not expect to  
change the specifications. Ramtron will issue a Product Change Notice if any specification changes are made.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-86209 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 25, 2013  
1234567...12

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与FM1808B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM1808B-SG CYPRESS

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 		256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory
FM1808B-SG RAMTRON

获取价格

 		256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory
FM1808B-SG INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM1808B-SGTR CYPRESS

获取价格

 		暂无描述
FM1808B-SGTR INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM1808S150S ETC

获取价格

 		NVRAM (Ferroelectric Based)
FM1808S-150S RAMTRON

获取价格

 		Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28
FM1808S150T ETC

获取价格

 		NVRAM (Ferroelectric Based)
FM1808S-150T RAMTRON

获取价格

 		Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP1-28
FM180B RECTRON

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 80 to 100 Volts CURRENT 1.0 Ampere

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