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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37.4 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 6.35 mm |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FM1808-120-S | RAMTRON |
获取价格 |
Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, MS-013, SOP-28 |
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| FM1808-70-P | ETC |
获取价格 |
256Kb Bytewide FRAM Memory |
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| FM1808-70-S | ETC |
获取价格 |
256Kb Bytewide FRAM Memory |
|
| FM1808B | RAMTRON |
获取价格 |
256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory |
|
| FM1808B | CYPRESS |
获取价格 |
256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory |
|
| FM1808B-SG | CYPRESS |
获取价格 |
256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory |
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| FM1808B-SG | RAMTRON |
获取价格 |
256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory |
|
| FM1808B-SG | INFINEON |
获取价格 |
铁电存储器 (F-RAM) |
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| FM1808B-SGTR | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FM1808B-SGTR | INFINEON |
获取价格 |
铁电存储器 (F-RAM) |
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