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FM1100-N PDF预览

FM1100-N

更新时间： 2024-11-19 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管光电二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

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FM1100-N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.59Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

FM1100-N 数据手册

 浏览型号FM1100-N的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Schottky Barrier Diodes  
For m osa MS  
FM120-N THRU FM1100-N  
Silicon epitaxial planer type  
SMA-N  
0.185(4.8)  
Features  
0.173(4.4)  
0.012(0.3) Typ.  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame  
RetardantEpoxy Molding Compound.  
0.110(2.8)  
0.094(2.4)  
For surface mounted applications.  
0.165(4.2)  
0.150(3.8)  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.067(1.7)  
0.060(1.5)  
Low leakage current.  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
0.067(1.7)  
0.053(1.3)  
Mechanical data  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AC  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by c athode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.0015 ounce, 0.05 gram  
MAXI MUM RATI NGS ( AT TA=25oC unl e s s ot he r wi s e not e d)  
PARAMETER  
CONDI TI ONS  
Symbol  
I O  
MI N.  
TYP.  
MAX.  
1. 0  
UNI T  
A
For war d r ect i f i ed cur r ent  
See Fi g. 1  
8. 3ms s i ngl e hal f s i ne- wave s uper i mpos ed on  
r at e l oad ( J EDEC met hode)  
For war d s ur ge cur r ent  
Rever s e cur r ent  
I FSM  
30  
A
V
= V  
TA  
=
25o C  
TA = 125o C  
0. 5  
10  
mA  
mA  
R
RRM  
I R  
V
R
= V  
RRM  
Ther mal r es i s t ance  
J unct i on t o ambi ent  
Rq  
88  
o C /  
w
J A  
Di ode j unct i on capaci t ance  
St or age t emper at ur e  
f =1MHz and appl i ed 4vDC r ever s e vol t age  
C
120  
pF  
o C  
J
TSTG  
- 55  
+150  
Oper at i ng  
t emper at ur e  
*1  
*2  
*3  
*4  
MARKI NG  
VRRM  
VRMS  
VR  
VF  
SYMBOLS  
CODE  
o C)  
( V)  
20  
( V)  
14  
21  
28  
35  
42  
56  
70  
( V)  
( V)  
(
FM120- N  
FM130- N  
FM140- N  
FM150- N  
FM160- N  
FM180- N  
FM1100- N  
SS12  
SS13  
SS14  
SS15  
SS16  
SS18  
S110  
20  
30  
0. 50  
- 55 t o +125  
30  
40  
40  
*1 Repet i t i ve peak r ever s e vol t age  
*2 RMS vol t age  
50  
50  
0. 70  
0. 85  
60  
60  
- 55 t o +150  
*3 Cont i nuous r ever s e vol t age  
*4 Maxi mum f or war d vol t age  
80  
80  
100  
100  
12

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与FM1100-N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM1100-S FORMOSA

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 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM1100W RECTRON

获取价格

 		SIGNAL DIODE
FM1100-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2
FM1100W-T RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, SMX, 2 PIN
FM1100W-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, SMX, 2 PIN
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