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FLM4450-4C

更新时间: 2024-02-25 10:47:23
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富士通 - FUJITSU 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 237K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

FLM4450-4C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.63
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:15 V
最大漏极电流 (ID):1.3 AFET 技术:JUNCTION
最高频带:C BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

FLM4450-4C 数据手册

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