FKP252

更新时间： 2024-09-13 06:59:23

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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MOSFET

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FKP252 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FKP252 数据手册

MOSFET

FKP252

December. 2005

■Package---TO220F

■Features

• Low on-resistance

• Low input capacitance

• Avalanche energy capability guaranteed

■Applications

• PDP driving

• High speed switching

■Equivalent circuit

D (2)

G (1)

S (3)

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

250

Unit

±30

±25A

ID(pulse) ^*1

±100A

40 (Tc=25°C)

200

Maximum Power Dissipation

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

EAS ^*2

IAS

Channel Temperature

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

-55 to 150

*1 PW≤100μsec, duty cycle≤1%

*2 VDD=20V, L=590μH, ILp=25A, unclamped, RG=50Ω, See Fig.1

Sanken Electric Co.,Ltd.

http://www.sanken-ele.co.jp/en/

T02-003EA-051206

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