5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.13 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FK10VS-10-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FK10VS-10-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FK10VS12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
|
| FK10VS-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK10VS-12 | POWEREX |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK10VS-12-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FK10VS-12-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FK10VS9 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
|
| FK10VS-9 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FK10VS-9 | POWEREX |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
