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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.92 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FK10VS10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| FK10VS-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FK10VS-10 | POWEREX |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FK10VS-10-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FK10VS-10-T2 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FK10VS12 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| FK10VS-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FK10VS-12 | POWEREX |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FK10VS-12-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FK10VS-12-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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