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FIR6N40BPG

更新时间： 2024-11-25 01:17:59

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400V N-Channel MOSFET

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FIR6N40BPG 数据手册

FIR6N40BPG,FIR6N40LG

PIN Connection TO-251/252

400V N-Channel MOSFET

Features:

□ Low Intrinsic Capacitances.

□ Excellent Switching Characteristics.

□ Extended Safe Operating Area.

□ Unrivalled Gate Charge :Qg=22nC (Typ.).

□ BVDSS=400V,I_D=6A

TO‐251

TO‐252

□ R_DS(on) : 1.0 Ω (Max) @V_G=10V

□ 100% Avalanche Tested

Schematic dia ram

Marking Diagram

YAWW

= Year

YAWW

FIR6N40BP

= Assembly Location

= Work Week

FIR6N40L

= Specific Device Code

FIR6N40BPG/LG

Absolute Maximum Ratings ^(Ta=25℃^{unless otherwise noted)}

Symbol

Parameter

Value

400

Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

Drain Current

T_j=25℃

I_D

T_j=100℃

3.6

±30

270

V_GS(TH)

E_AS

Gate Threshold Voltage

Single Pulse Avalanche Energy (note1)

I_AR

P_D

T_j

Avalanche Current (note2)

Power Dissipation (Tj=25℃)

Junction Temperature(Max)

Storage Temperature

150

℃

T_stg

-55~+150

Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8” from

case for 5 seconds

300

℃

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

2.60

110

Unit

℃/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

REV:1.0

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@ 2018 Copyright By American First Semiconductor

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