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FGW75XS120

更新时间： 2024-10-31 15:19:23
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富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
7页 397K
描述
Molded Package TO-247

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FGW75XS120 数据手册

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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
Discrete IGBT  
FGW75XS120  
Discrete IGBT (XS-series)  
1200V / 75A  
Features  
Pb-free lead terminal; RoHS compliant  
Halogen-free molding compound  
Applications  
Uninterrupted Power Supply, PV Power Conditioner,  
Inverter welding machine  
Maximum Ratings and Characteristics  
Equivalent circuit  
Absolute Maximum Ratings at Tvj = 25 °C (unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
Symbol  
CES  
Value  
1200  
± 20  
Unit  
V
Remarks  
② Collector  
V
V
GES  
V
Transient Gate-Emitter Voltage  
± 30  
t < 1 μs  
p
I
I
I
C@25  
117  
75  
300  
649  
A
A
A
W
°C  
°C  
T
C
= 25 °C  
= 100 °C  
DC Collector Current  
C@100  
CP  
TC  
Pulsed Collector Current  
Max. Power Dissipation  
Note *1  
= 25 °C  
①
Gate  
P
tot  
TC  
①
Operating Junction Temperature Tvj  
-40 ~ +175  
-55 ~ +175  
②
③ Emitter  
Storage Temperature  
T
stg  
③
Note *1 : Pulse width limited by Tvj max  
.
TO-247  
Electrical Characteristics at Tvj = 25 °C (unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Conditions  
Zero Gate Voltage  
Min.  
-
-
Typ.  
-
-
Max.  
250  
2
Unit  
μA  
mA  
T
T
vj = 25 °C  
vj = 175 °C  
V
V
V
V
V
CE = 1200 V  
I
CES  
Collector Current  
GE = 0 V  
Gate-Emitter  
Leakage Current  
Gate-Emitter  
CE = 0 V  
I
GES  
-
-
200  
6.1  
nA  
V
GE = ± 20 V  
CE = 20 V  
= 75 mA  
V
GE(th)  
4.9  
5.5  
Threshold Voltage  
IC  
Tvj = 25 °C  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 175 °C  
-
-
-
-
-
-
1.6  
2.05  
2.15  
8400  
114  
1.9  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
V
GE = 15 V  
= 75 A  
V
CE(sat)  
-
-
-
-
-
V
I
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
C
C
C
ies  
V
V
CE = 25 V  
GE = 0 V  
oes  
res  
pF  
nC  
f = 1 MHz  
68  
VCC = 600 V  
Gate Charge  
Q
G
I
C
= 75 A  
-
500  
-
VGE = 15 V  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Turn-On Energy  
Turn-Off Energy  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
t
t
t
E
E
d(on)  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
72  
60  
450  
58  
4.4  
3
78  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
T
V
vj= 25 °C  
CC = 600 V  
= 75 A  
r
ns  
mJ  
ns  
d(off)  
f
I
C
V
R
GE = 15 V  
G
= 10 Ω  
on  
off  
Energy loss include “tail” and FWD reverse recovery.  
t
t
t
t
d(on)  
Tvj = 175 °C  
r
58  
V
CC = 600 V  
= 75 A  
GE = 15 V  
d(off)  
f
500  
108  
5.6  
4.6  
I
C
V
R
G
= 10 Ω  
Turn-On Energy  
Turn-Off Energy  
E
E
on  
off  
mJ  
Energy loss include “tail” and FWD reverse recovery.  
Thermal Resistance  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Min.  
-
-
Typ.  
-
-
Max.  
50  
0.231  
Unit  
°C/W  
°C/W  
R
R
th(j-a)  
th(j-c)_IGBT  
9505a  
2020/12  
1
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