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FGT303

更新时间： 2024-11-02 21:11:51

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	357K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, FM20, TO-220F, FULL PACK-3

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FGT303 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	285 ns
标称接通时间 (ton)：	120 ns	Base Number Matches：	1

FGT303 数据手册

IGBT

FGT303

March, 2006

■Package—TO220F

■Features

• Generation 3 IGBT (Trench Technology)

• Low VCE(sat): 1.3V typ

• Large Collector Current: Icp=160A

■Applications

• PDP driver

■Equivalent circuit

C(2)

Ｇ(1)

E(3)

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Unit

Parameter

Symbol

VCES

VGE

Ratings

Collector to Emitter Voltage

Gate to Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

300

±20

IC(DC)

160

(pulse)*¹

Maximum Allowable Power

Dissipation

35 (Tc=25°C)

150

°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

-55 to 150

*1. PW ≤ 10μsec, duty cycle ≤ 1%

Sanken Electric Co.,Ltd.

http://www.sanken-ele.co.jp/en/

T04-001JA-060224

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FGT313	SANKEN	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FGT612	SANKEN	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
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FGUM030P6901/S35A	IVO	获取价格	Through Beam Photoelectric Sensor, 0.3mm Min, 200mA, Rectangular
FGUM030P8001/S35L	IVO	获取价格	Through Beam Photoelectric Sensor, 0.5mm Min, 200mA, Rectangular
FGUM050P6901/S35A	IVO	获取价格	Through Beam Photoelectric Sensor, 0.3mm Min, 200mA, Rectangular
FGUM050P8001/S35L	IVO	获取价格	Through Beam Photoelectric Sensor, 0.5mm Min, 200mA, Rectangular
FGUM080P6901/S35A	IVO	获取价格	Through Beam Photoelectric Sensor, 0.3mm Min, 200mA, Rectangular
FGUM080P8001/S35L	IVO	获取价格	Through Beam Photoelectric Sensor, 0.5mm Min, 200mA, Rectangular
FGUM120P8001/S35L	IVO	获取价格	Through Beam Photoelectric Sensor, 0.8mm Min, 200mA, Rectangular