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FGM623S

更新时间： 2024-10-30 10:32:51

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三垦 - SANKEN		/
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7页	379K
描述
Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A)

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FGM623S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	420 ns
标称接通时间 (ton)：	180 ns	Base Number Matches：	1

FGM623S 数据手册

http://www.sanken-ele.co.jp

SANKEN ELECTRIC

FGM623S

Jul. 2010

Features

・Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A)

Package

TO-3PF

・High Speed SW

tf=120ns typ. (IC=30A)

Applications

・Current Resonance Inverter Switching

Equivalent circuit

C(2)

Ｇ(1)

E(3)

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C）

Characteristic

Collector to Emitter Voltage

Gate to Emitter Voltage

Symbol

VCES

VGES

Rating

Unit

600

± 30

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Maximum Collector-emitter dv/dt

Maximum Power Dissipation

Thermal Resistance IGBT

Junction Temperature

)

１

IC(pulse)

dv/dt ²⁾

100

V/ns

60 (Tc=25°C)

2.08

θj-c

℃/W

°C

150

Storage Temperature

Tstg

－55~150

°C

1) PW≦100usec.，Duty cycle≦1%

2) Tc≦125℃, See Fig.1

The information included herein is believed to be accurate and reliable. However, SANKEN ELECTRIC CO., LTD assumes no

responsibility for its use ; nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use.

Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD.

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FGMS12SR6020A	ETC	获取价格	3-14.4Vdc Input, 20A, 0.6-5.5Vdc Output
FGN.0F.302.XLC	ETC	获取价格	CONN PLUG MALE 2POS GOLD CRIMP
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