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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 集电极-发射极最大电压： | 360 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 4 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 292 ns | 标称接通时间 (ton)： | 26 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FGD5T120SH | ONSEMI | IGBT，1200V，5A，FS 沟槽 |
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| FGDK28P1001 | IVO | Through Beam Photoelectric Sensor, 0.8mm Min, 100mA, Rectangular, Board Mount |
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| FGDK28P3001 | IVO | Through Beam Photoelectric Sensor, 0.8mm Min, 100mA, Rectangular, Board Mount |
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| FGE | ETC |
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| FGE.0B.302.CLAD52Z | ETC | CONN PLUG MALE 2POS SOLDER CUP |
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| FGE.1B.306.CYZZ | ETC | CONN HSG PLUG 6POS CABLE PIN |
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