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FGA15N120ANTDTU-F109

更新时间： 2024-09-18 14:42:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 栅
页数 文件大小 规格书
9页 486K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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FGA15N120ANTDTU-F109 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：1200 V最大降落时间（tf）：180 ns
门极发射器阈值电压最大值：8.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-609代码：e3最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：186 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

FGA15N120ANTDTU-F109 数据手册

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November 2013  
FGA15N120ANTDTU  
1200 V, 15 A NPT Trench IGBT  
Features  
Description  
•
NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient  
Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT  
technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction  
and switching performances, high avalanche ruggedness and  
easy parallel operation.  
•
Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 1.9 V  
@ IC = 15 A and TC = 25C  
•
•
Low Switching Loss: Eoff, typ = 0.6 mJ  
@ IC = 15 A and TC = 25C  
This device is well suited for the resonant or soft switching appli-  
cation such as induction heating, microwave oven.  
Extremely Enhanced Avalanche Capability  
C
G
TO-3P  
E
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
Ratings  
Unit  
V
VCES  
VGES  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
1200  
Gate-Emitter Voltage  
20  
V
Collector Current  
@ TC  
=
25C  
30  
A
Collector Current  
@ TC = 100C  
15  
A
ICM  
IF  
IFM  
PD  
Pulsed Collector Current (Note 1)  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
45  
A
@ TC = 25C  
@ TC = 100C  
30  
15  
A
A
45  
A
@ TC  
=
25C  
186  
W
W
C  
C  
C  
@ TC = 100C  
74  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
300  
Tstg  
TL  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
0.67  
2.88  
40  
Unit  
RJC  
RJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case for IGBT  
Thermal Resistance, Junction-to-Case for Diode  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
C/W  
C/W  
C/W  
RJA  
Notes:  
(1) Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGA15N120ANTDTU Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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