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FG600AL32

更新时间: 2024-01-25 04:27:30
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 467K
描述
THYRISTOR|GTO|1.6KV V(DRM)|TO-200AC

FG600AL32 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:PEAK TURN-OFF CURRENT IS 600 A
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:1500 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 VJESD-30 代码:O-CEDB-N2
最大漏电流:40 mA通态非重复峰值电流:5000 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:600000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified断态重复峰值电压:1600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:GATE TURN-OFF SCRBase Number Matches:1

FG600AL32 数据手册

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