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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 1.52 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, PD-CASE | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.75 V | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 90 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 22 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 283 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 1200 V | 最大反向电流： | 200 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FFSD1065A | ONSEMI |
获取价格 |
SiC 二极管，650V，10A，DPAK |
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| FFSD1065B | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS |
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| FFSD1065B-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，650 V |
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| FFSD-10-D-01.00-01-F-N | SAMTEC |
获取价格 |
.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE |
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| FFSD-10-D-01.00-01-N | SAMTEC |
获取价格 |
.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE |
|
| FFSD-10-D-01.00-01-S-N | SAMTEC |
获取价格 |
.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE |
|
| FFSD-10-D-01.06-01-N | SAMTEC |
获取价格 |
.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE |
|
| FFSD-10-D-01.18-01-F-N-RN2 | SAMTEC |
获取价格 |
Cable Assembly, 30AWG, |
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| FFSD-10-D-01.18-01-N-RN1 | SAMTEC |
获取价格 |
Cable Assembly |
|
| FFSD-10-D-01.22-01-N-RN1 | SAMTEC |
获取价格 |
.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE |
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