是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 1.52 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, PD-CASE | 应用: | EFFICIENCY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON CARBIDE | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.75 V | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 90 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 22 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散: | 283 W |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向电流: | 200 µA |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FFSD1065A | ONSEMI |
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SiC 二极管,650V,10A,DPAK | |
FFSD1065B | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSD1065B-F085 | ONSEMI |
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汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,650 V | |
FFSD-10-D-01.00-01-F-N | SAMTEC |
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.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE | |
FFSD-10-D-01.00-01-N | SAMTEC |
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.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE | |
FFSD-10-D-01.00-01-S-N | SAMTEC |
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.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE | |
FFSD-10-D-01.06-01-N | SAMTEC |
获取价格 |
.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE | |
FFSD-10-D-01.18-01-F-N-RN2 | SAMTEC |
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Cable Assembly, 30AWG, | |
FFSD-10-D-01.18-01-N-RN1 | SAMTEC |
获取价格 |
Cable Assembly | |
FFSD-10-D-01.22-01-N-RN1 | SAMTEC |
获取价格 |
.050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE |