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FFM103 PDF预览

FFM103

更新时间： 2024-01-19 09:40:17
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辰达行 - MDD 二极管光电二极管快速恢复二极管
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2页 94K
描述
SUFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER

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FFM103 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC, SMX, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.61其他特性：METALLURGICALLY BONDED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.15 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FFM103 数据手册

 浏览型号FFM103的Datasheet PDF文件第2页 
FFM101 THRU FFM107  
SUFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current -1.0Ampere  
SOD-123FL  
FEATURES  
Cathode Band  
Top View  
Glass passivated device  
Ideal for surface mouted applications  
Low reverse leakage  
Metallurgically bonded construction  
High temperature soldering guaranteed:  
2.8±0.1  
250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.6±0.25  
MECHANICAL DATA  
Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip  
Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
3.7±0.2  
Polarity : Color band denotes cathode end  
Mounting Position : Any  
Weight :0.0007 ounce, 0.02 grams  
Dimensions in millimeters  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
SYMBOLS  
FFM101  
F1  
FFM106  
F6  
FFM107  
F7  
FFM103  
F3  
FFM104  
F4  
FFM102  
F2  
FFM105  
F5  
UNITS  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
VOLTS  
VOLTS  
VOLTS  
800  
560  
800  
1000  
700  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TA=65 C (NOTE 1)  
1000  
100  
I(AV)  
1.0  
Amp  
Peak forward surge current  
IFSM  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
25.0  
1.3  
Amps  
Volts  
rated load (JEDEC Method)  
TL=25 C  
VF  
IR  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
5.0  
50.0  
µ
A
TA=125 C  
trr  
CJ  
ns  
pF  
C
Maximum reverse recovery time (NOTE 2)  
Typical junction capacitance (NOTE 3)  
500  
250  
150  
15  
Operating junction and storage temperature range  
TJ,TSTG  
-50 to +150  
Note:  
1.Averaged over any 20ms period.  
2.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
3.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
MDD ELECTRONIC  
12

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