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FFM102W-W PDF预览

FFM102W-W

更新时间： 2024-09-24 19:58:51
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMX, 2 PIN

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FFM102W-W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC, SMX, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.63其他特性：METALLURGICALLY BONDED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.15 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FFM102W-W 数据手册

 浏览型号FFM102W-W的Datasheet PDF文件第2页 
FFM101W  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
FFM107W  
SURFACE MOUNT  
FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Ideal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.057 gram  
SMX  
MECHANICAL DATA  
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
.209 (5.31)  
.185 (4.70)  
.110 (2.79)  
.086 (2.18)  
.067 (1.70)  
.051 (1.30)  
.091 (2.31)  
.067 (1.70)  
.011 (0.28)  
.007 (0.18)  
.180 (4.57)  
.160 (4.06)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
.059 (1.50)  
.035 (0.89)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
FFM101W FFM102W FFM103W FFM104W FFM105W FFM106W FFM107W UNITS  
SYMBOL  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
RRM  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
1.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
Amps  
RMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
O
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current at T  
A
= 55oC  
I
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
30  
Amps  
(Note 2) RθJL  
(Note 3) RθJA  
30  
0C/W  
0C/W  
pF  
Maximum Thermal Resistance  
70  
15  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
OperatingTemperature Range  
CJ  
-65 to + 150  
0 C  
T
J
0 C  
Storage Temperature Range  
T
STG  
-65 to + 175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
CHARACTERISTICS  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
Maximum Full Load Reverse Current,Full cycle Average at T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
FFM101W FFM102W FFM103W FFM104W FFM105W FFM106W FFM107W  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
1.3  
50  
V
F
o
A
= 25 C  
uAmps  
uAmps  
= 25oC  
= 125oC  
I
R
Maximum DC Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage  
5.0  
@T  
@T  
A
A
100  
uAmps  
nSec  
trr  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 4)  
150  
250  
500  
NOTES : 1. Measured at 1.0 MHz and applied average voltage of 4.0VDC  
2001-4  
2. Thermal resistance junction to terminal 6.0mm2 copper pads to each terminal.  
3. Thermal resistance junction to ambient, 6.0mm2 copper pads to each terminal.  
4. Test Conditions: IF = 0.5A, IR = -1.0A, IRR = -0.25A  
12

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