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FF650R17IE4P

更新时间： 2024-12-01 13:07:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FF650R17IE4P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FF650R17IE4P 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF650R17IE4

PrimePACK™2 Modul und NTC

PrimePACK™2 module and NTC

V†Š» = 1700V

I† ÒÓÑ = 650A / I†ç¢ = 1300A

Typische Anwendungen

Typical Applications

3-Level-Applications

Auxiliary Inverters

High Power Converters

Motor Drives

3-Level-Applikationen

Hilfsumrichter

••

Hochleistungsumrichter

Motorantriebe

Windgeneratoren

Wind Turbines

Elektrische Eigenschaften

Electrical Features

Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ

High DC Stability

Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ

••

Große DC-Festigkeit

••

Hohe Stromdichte

••

High Current Density

Low Switching Losses

TÝÎ ÓÔ = 150°C

Niedrige Schaltverluste

TÝÎ ÓÔ = 150°C

niedriges V†ŠÙÈÚ

Low V†ŠÙÈÚ

Mechanische Eigenschaften

Mechanical Features

Gehäuse mit CTI > 400

Package with CTI > 400

••

Große Luft- und Kriechstrecken

Hohe Last- und thermische Wechselfestigkeit

Hohe Leistungsdichte

High Creepage and Clearance Distances

High Power and Thermal Cycling Capability

High Power Density

Kupferbodenplatte

Copper Base Plate

Standardgehäuse

Standard Housing

Module Label Code

Barcode Code 128

Content of the Code

Digit

Module Serial Number

1 - 5

Module Material Number

Production Order Number

Datecode (Production Year)

Datecode (Production Week)

6 - 11

12 - 19

20 - 21

22 - 23

DMX - Code

prepared by: RH

approved by: MS

date of publication: 2009-08-28

revision: 3.2

material no: 32893

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