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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | RATED BREAKING CAPACITY AT 400 VDC: 80000 A | 主体高度： | 77.5 mm |
| 主体长度或直径： | 74 mm | 电路保护类型： | ELECTRIC FUSE |
| 焦耳积分标称： | 2000 J | 安装特点： | INLINE/HOLDER |
| 包装方法： | BOX | 物理尺寸： | 74mm x 77.5mm |
| 额定分断能力： | 80000 A | 额定电流： | 630 A |
| 额定电压（交流）： | 550 V | 额定电压（直流）： | 400 V |
| 参考标准： | IEC | 表面贴装： | NO |
| 端子形状： | TAB/BLADE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF6-30 | DDK |
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Card Edge Connector |
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| FF650R17IE4 | INFINEON |
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PrimePACK™2 Modul und NTC |
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| FF650R17IE4D_B2 | INFINEON |
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PrimePACK™2 Modul und NTC |
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| FF650R17IE4DP_B2 | INFINEON |
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TIM |
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| FF650R17IE4P | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF650R17IE4PBOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
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| FF650R17IE4V | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF650R17IE4VBOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
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| FF6AG | GOOD-ARK |
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| FF6MR12KM1 | INFINEON |
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62 mm?1200 V,?6 mΩ半桥模块，采用CoolSiC? MOSFET芯片。 |
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