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FF3467J

更新时间: 2024-02-28 10:25:47
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美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14

FF3467J 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T14针数:14
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.46
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PDIP-T14JESD-609代码:e0
元件数量:4端子数量:14
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):235
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):190 MHz
Base Number Matches:1

FF3467J 数据手册

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