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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.31 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF2221J | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF2221J | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| FF2222J | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF224 | MOTOROLA |
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Wide Band Low Power Amplifier, 40MHz Min, 550MHz Max, |
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| FF224B | MOTOROLA |
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40 MHz - 550 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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| FF225R12ME3 | INFINEON |
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EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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| FF225R12ME4 | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC |
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| FF225R12ME4_B11 | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT |
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| FF225R12ME4B11BPSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
|
| FF225R12ME4BOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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