Datasheet > 晶体管 > IGBT> FF1000R17IE4D_B2

FF1000R17IE4D_B2

更新时间： 2024-11-26 06:59:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管双极性晶体管
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PrimePACK™3 Modul und NTC

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FF1000R17IE4D_B2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FF1000R17IE4D_B2 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF1000R17IE4D_B2

PrimePACK™3 Modul und NTC

PrimePACK™3 module and NTC

Vorläufige Daten / preliminary data

V†Š» = 1700V

I† ÒÓÑ = 1000A / I†ç¢ = 2000A

Typische Anwendungen

Typical Applications

3-Level-Applications

Auxiliary Inverters

High Power Converters

Motor Drives

3-Level-Applikationen

Hilfsumrichter

••

Hochleistungsumrichter

Motorantriebe

Traktionsumrichter

Windgeneratoren

Traction Drives

Wind Turbines

Elektrische Eigenschaften

Electrical Features

Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ

Große DC-Festigkeit

Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ

High DC Stability

••

Hohe Stromdichte

High Current Density

Niedrige Schaltverluste

TÝÎ ÓÔ = 150°C

Low Switching Losses

TÝÎ ÓÔ = 150°C

Verstärkte Diode für Rückspeisebetrieb

niedriges V†ŠÙÈÚ

Enlarged Diode for regenerative operation

Low V†ŠÙÈÚ

Mechanische Eigenschaften

Mechanical Features

Gehäuse mit CTI > 400

Package with CTI > 400

••

Große Luft- und Kriechstrecken

Hohe Last- und thermische Wechselfestigkeit

Hohe Leistungsdichte

High Creepage and Clearance Distances

High Power and Thermal Cycling Capability

High Power Density

Kupferbodenplatte

Copper Base Plate

Module Label Code

Barcode Code 128

Content of the Code

Digit

Module Serial Number

1 - 5

Module Material Number

Production Order Number

Datecode (Production Year)

Datecode (Production Week)

6 - 11

12 - 19

20 - 21

22 - 23

DMX - Code

prepared by: RH

approved by: MS

date of publication: 2009-08-28

revision: 2.0

material no: 33333

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FF1000R17IE4DP_B2	INFINEON	获取价格	TIM
FF1000R17IE4DPB2BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12
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