FESB16BT

更新时间： 2024-09-08 22:31:03

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威世 - VISHAY		整流二极管
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2页	88K
描述
FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

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FESB16BT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.975 V
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	250 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	16 A	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

FESB16BT 数据手册

NEW PRODUCT

FESB16AT THRU FESB16JT

FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

Reverse Voltage - 50 to 600 Volts

Forward Current - 16.0 Amperes

TO-263AB

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

0.160 (4.06)

0.190 (4.83)

0.380 (9.65)

0.420 (10.67)

0.045 (1.14)

0.055 (1.40)

0.245 (6.22)

MIN

♦ Glass passivated chip junction

♦ Low power loss

♦ Low forward voltage, high current capability

♦ High surge current capability

♦ Superfast recovery time, for high efficiency

♦ High temperature soldering in accordance with

CECC 802 / Reflow guaranteed

0.047 (1.19)

0.320 (8.13)

0.360 (9.14)

0.055 (1.40)

0.575 (14.60)

0.625 (15.88)

SEATING

PLATE

0.090 (2.29)

-T-

0.110 (2.79)

0.018 (0.46)

0.025 (0.64)

0.095 (2.41)

0.100 (2.54)

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC TO-263AB molded plastic body over

passivated chips

0.080 (2.03)

0.110 (2.79)

0.027 (0.686)

0.037 (0.940)

Terminals: Plated lead solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: As marked

PIN 1

PIN 2

K - HEATSINK

Mounting Position: Any

Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

FESB FESB FESB FESB FESB FESB FESB FESB

SYMBOLS 16AT 16BT 16CT 16DT 16FT 16GT 16HT 16JT UNITS

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100 150 200 300 400 500 600 Volts

70 105 140 210 280 350 420 Volts

100 150 200 300 400 500 600 Volts

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

at T_C=100°C

I_(AV)

16.0

Amps

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method) at T_C=100°C

I_FSM

250.0

Maximum instantaneous forward voltage at 16A

V_F

I_R

0.975

35.0

1.3

1.5

Volts

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

T_C=25°C

T_C=100°C

10.0

500.0

µA

Maximum reverse recovery time _(NOTE1)

Typical junction capacitance _{(NOTE 2)}

Typical thermal resistance _{(NOTE 3)}

t_rr

C_J

50.0

175.0

1.2

145.0

R_ΘJC

T_J, T_STG

°C/W

°C

Operating and storage temperature range

-65 to +150

NOTES:

(1) Reverse recovery test conditions: I_F=0.5A, I_R=1.0A, I_rr=0.25A

(2) Measured at 1.0 MH_Zand applied reverse voltage of 4.0 Volts

(3) Thermal resistance from junction to case

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FESB16BTHE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
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FESB16BT-HE3/81	VISHAY	获取价格	DIODE 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3,
FESB16BTHE3_A/P	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
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