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FES16DT PDF预览

FES16DT

更新时间： 2024-11-28 20:24:51
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安森美 - ONSEMI /
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3页 58K
描述
16A Ultra Fast Recovery Rectifier, TO-220 2L, 2000-RAIL

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FES16DT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大功率耗散：7.81 W最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

FES16DT 数据手册

 浏览型号FES16DT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FES16DT的Datasheet PDF文件第3页 
FES16AT - FES16JT  
Features  
PIN 1  
PIN 3  
+
• Low forward voltage drop.  
• High surge current capacity.  
• High current capability.  
• High reliability.  
CASE  
Case Positive  
PIN 1  
PIN 3  
-
1
2
Case Negative  
Suffix "R"  
TO-220AC  
Fast Rectifiers (Glass Passivated)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
Symbol  
Units  
Parameter  
16AT 16BT 16CT 16DT 16FT 16GT  
16HT  
16JT  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse  
Voltage  
Average Rectified Forward Current,  
.375 " lead length @ TA = 100°C  
Non-repetitive Peak Forward Surge  
Current  
50  
100 150 200 300  
16  
400  
500  
600  
V
A
250  
A
8.3 ms Single Half-Sine-Wave  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-65 to +150  
V
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
pF  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
7.81  
16  
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
RθJA  
RθJL  
°C/W  
°C/W  
1.2  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Device  
Symbol  
Units  
Parameter  
16AT  
16BT  
0.95  
35  
16CT 16DT 16FT  
16GT  
16HT  
1.5  
16JT  
VF  
trr  
Forward Voltage @ 8.0A  
Reverse Recovery Time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A  
1.3  
V
50  
ns  
IR  
Reverse Current @ rated VR  
10  
500  
A
A
µ
µ
T = 25 C  
°
A
T = 100 C  
°
A
CT  
Total Capacitance  
pF  
170  
145  
VR = 4.0. f = 1.0 MHz  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FES16AT - FES16JT, Rev. C  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FES16DT_NL FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 16A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, LEAD
FES16DT-45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-
FES16DT-E3 VISHAY

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 		Ultrafast Plastic Rectifier
FES16DT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 16 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,
FES16DT-G SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, LEAD FREE, PLAST
FES16DTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE 16 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,
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 		16 Ampere Glass Passivated Super Fast Rectifiers
FES16ET THINKISEMI

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 		16.0 Ampere Heatsink Package Positive Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
FES16ETR THINKISEMI

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 		16.0 Ampere Heatsink Package Negative Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

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