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FEPE16CT-E3/45

更新时间： 2024-09-14 19:26:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

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FEPE16CT-E3/45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FEPE16CT-E3/45 数据手册

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FEPE16xT  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual Common Cathode Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
TO-220AB  
• Power pack  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
3
2
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
FEPE16xT  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
CASE  
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, freewheeling diodes, DC/DC  
converters, and other power switching application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
IF(AV)  
2 x 8.0 A  
Case: TO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VRRM  
IFSM  
50 V to 600 V  
200 A, 125 A  
trr  
35 ns, 50 ns  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF  
0.95 V, 1.30 V, 1.50 V  
150 °C  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
TO-220AB  
Polarity: As marked  
Common cathode  
Mounting Torque: 10 in-lbs max.  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE  
16AT 16BT 16CT 16DT 16FT 16GT 16HT 16JT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current at TC = 100 °C  
IF(AV)  
16  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
200  
125  
A
Operating storage and temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE FEPE  
16AT 16BT 16CT 16DT 16FT 16GT 16HT 16JT  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage per diode  
(1)  
8.0 A  
VF  
0.95  
1.30  
1.50  
V
TC = 25 °C  
TC = 100 °C  
10  
Maximum DC reverse current per  
diode at rated DC blocking voltage  
IR  
μA  
500  
Maximum reverse recovery time  
per diode  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
Irr = 0.25 A  
trr  
35  
50  
ns  
Typical junction capacitance per  
diode  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
85  
60  
pF  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Revision: 23-Feb-16  
Document Number: 87919  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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