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FEPB6ATHE3/81

更新时间： 2024-11-11 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
5页 152K
描述
DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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FEPB6ATHE3/81 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.65
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.975 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

FEPB6ATHE3/81 数据手册

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FEP6xT, FEPF6xT, FEPB6xT  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common Cathode Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Power pack  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• Low leakage current  
3
• High forward surge capability  
3
2
2
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
245 °C (for TO-263AB package)  
1
FEP6xT Series  
FEPF6xT Series  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 1  
PIN 2  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
(for TO-220AB and ITO-220AB package)  
CASE  
PIN 3  
PIN 3  
TO-263AB  
K
• AEC-Q101 qualified  
(for ITO-220AB and TO-263AB package)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
2
1
FEPB6xT Series  
PIN 1  
TYPICAL APPLICATIONS  
K
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, freewheeling diodes, DC/DC  
converters, and other power switching application.  
PIN 2  
HEATSINK  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB  
IF(AV)  
6.0 A  
VRRM  
IFSM  
trr  
50 V to 200 V  
75 A  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
35 ns  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
VF  
0.975 V  
150 °C  
TJ max.  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
TO-220AB, ITO-220AB,  
TO-263AB  
Package  
Polarity: as marked  
Diode variations  
Common cathode  
Mounting Torque: 10 in-lbs max.  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VRMS  
FEP6AT  
50  
FEP6BT  
100  
FEP6CT  
150  
FEP6DT  
200  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
A
35  
70  
105  
140  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TC = 105 °C  
VDC  
50  
100  
150  
200  
IF(AV)  
6.0  
75  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
TJ, TSTG  
VAC  
A
°C  
V
Operating storage and temperature range  
-55 to +150  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
Revision: 15-Nov-17  
Document Number: 88598  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FEPB6BT VISHAY

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FEPB6BT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
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