FDZ7064S

更新时间： 2024-11-24 22:08:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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7页	231K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFET

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FDZ7064S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	GRID ARRAY, R-PBGA-B30
针数：	30	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13.5 A	最大漏极电流 (ID)：	13.5 A
最大漏源导通电阻：	0.007 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PBGA-B30	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	30
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FDZ7064S 数据手册

May 2004

FDZ7064S

30V N-Channel PowerTrench SyncFET^TMBGA MOSFET

General Description

Features

This MOSFET is designed to replace a single MOSFET

and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power

supplies. Combining Fairchild’s 30V PowerTrench

SyncFET process with state of the art BGA packaging, the

• 13.5 A, 30 V. R_DS(ON)= 7 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 9 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• Occupies only 14 mm²of PCB area. Only 42% of the

area of SO-8

FDZ7064S minimizes both PCB space and R_DS(ON)

. This

BGA SyncFET embodies a breakthrough in both packaging

and power MOSFET integration which enables the device

to combine excellent thermal transfer characteristics, high

current handling capability, ultra-low profile packaging, low

gate charge, ultra-low reverse recovery charge and low

• Ultra-thin package: less than 0.8 mm height when

mounted to PCB

R_DS(ON)

• 3.5 x 4 mm²Footprint

Applications

• High power and current handling capability.

• DC/DC converters

Pin 1

Top

Bottom

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

±16

13.5

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation (Steady State)

2.2

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

4.5

0.6

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ball

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

7064S

FDZ7064S

13”

12mm

3000

2004 Fairchild Semiconductor Corporation

FDZ7064S Rev. B2 (W)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDZ7296	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
FDZ7296_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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