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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 3.50 X 4 MM, 0.85 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, FLFBGA-30 |
| 针数： | 30 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XBGA-B30 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 30 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 83 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | BALL |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDZ4676 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDZ493P | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET -20V, -4.6A, 46mohm |
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| FDZ5.1 | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode |
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| FDZ5.6 | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode |
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| FDZ5013 | TE |
获取价格 |
Frequency Doubler |
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| FDZ5013 | MACOM |
获取价格 |
(non-RoHS) Frequency Doubler |
|
| FDZ5013C | TE |
获取价格 |
Frequency Doubler |
|
| FDZ5013C | MACOM |
获取价格 |
(non-RoHS) Frequency Doubler |
|
| FDZ5045N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDZ5047N | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET |
|
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