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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDZ2553N
FDZ2553N PDF预览

FDZ2553N

更新时间： 2024-11-05 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench

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FDZ2553N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：GRID ARRAY, R-PBGA-B18
针数：18Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
Is Samacsys：N配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.6 A
最大漏极电流 (ID)：9.6 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PBGA-B18
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：18
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDZ2553N 数据手册

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February 2003  
FDZ2553N  
Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET  
General Description  
Features  
Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified  
PowerTrench process with state-of-the-art BGA  
packaging, the FDZ2553N minimizes both PCB space  
• 9.6 A, 20 V.  
RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = 2.5 V  
and RDS(ON)  
MOSFET embodies  
technology which enables the device to combine  
excellent thermal transfer characteristics, high current  
handling capability, ultra-low profile packaging, low gate  
.
This Monolithic Common Drain BGA  
breakthrough in packaging  
• Occupies only 0.10 cm2 of PCB area:  
1/3 the area of SO-8.  
a
• Ultra-thin package: less than 0.80 mm height when  
mounted to PCB.  
charge, and low RDS(ON)  
.
Applications  
• Outstanding thermal transfer characteristics:  
• Battery management  
• Load switch  
significantly better than SO-8.  
• Ultra-low Qg x RDS(ON) figure-of-merit  
• Battery protection  
• High power and current handling capability  
S
D
S
D
S
S
S
D
S
S
S
Pin 1  
G
Q2  
Q1  
Q1  
G
S
D
G
D
S
D
S
D
Q2  
Pin 1  
G
Top  
Bottom  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
20  
±12  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
9.6  
20  
2.1  
PD  
Power Dissipation (Steady State)  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJB  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
(Note 1)  
60  
6.3  
0.6  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ball  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2553N  
FDZ2553N  
7’’  
12mm  
3000 units  
2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDZ2553N Rev D2 (W)  
123456

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FDZ2553N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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