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FDY1002PZ

更新时间： 2024-11-20 14:51:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 253K
描述
双 P 沟道，(-1.5 V) 指定，PowerTrench? MOSFET，-20V，-0.83A，0.5Ω

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FDY1002PZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.07
Samacsys Description：MOSFET, Fairchild, FDY1002PZ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：-20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：-0.83 A
最大漏源导通电阻：1.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：30 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：-1 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：47 ns

FDY1002PZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, P-Channel  
(-1.5 V), Specified,  
POWERTRENCH)  
–20 V, –0.83 A, 0.5 W  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
−20 V  
0.5 W @ −4.5 V  
0.7 W @ −2.5 V  
1.2 W @ −1.8 V  
1.8 W @ −1.5 V  
−0.83 A  
FDY1002PZ  
General Description  
6
5
4
These P−Channel Logic Level MOSFETs are produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been  
especially tailored to minimize the on−state resistance and yet  
maintain low gate charge for superior switching performance. These  
devices are well suited for all applications where small size is  
desireable but especially low cost DC/DC conversion in battery  
powered systems.  
1
2
3
SOT−563  
CASE 419BH  
This Dual P−Channel MOSFET has been designed using onsemi’s  
advanced Power Trench process to optimize the r  
–1.5 V.  
@ V  
=
DS(on)  
GS  
MARKING DIAGRAM  
Features  
G&2  
• Max r  
• Max r  
• Max r  
• Max r  
= 0.5 W at V = –4.5 V, I = –0.83 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
DS(on)  
DS(on)  
= 0.7 W at V = –2.5 V, I = –0.70 A  
GS  
D
= 1.2 W at V = –1.8 V, I = –0.43 A  
GS  
D
G
= Device Code  
&2 = 2−Digit Date Code  
= 1.8 W at V = –1.5 V, I = –0.36 A  
GS  
D
• HBM ESD Protection Level = 1400 V (Note 1)  
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
PIN ASSIGNMENT  
Application  
• Li−Ion Battery Pack  
NOTE:  
S1  
D1  
G2  
1
2
6
1. The diode connected between the gate and source serves only as  
protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.  
G1  
D2  
5
4
S2  
3
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
August, 2022 − Rev. 4  
FDY1002PZ/D  
 
12345678

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