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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.9 mm | 端子数量： | 8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS8521LD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, PDSO8, SOIC-8 |
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| FDS8521LL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, PDSO8, SOIC-8 |
|
| FDS8521LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, PDSO8, SOIC-8 |
|
| FDS86106 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 3.4 A, |
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| FDS86106 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.4A，105mΩ |
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| FDS86140 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 11.2 A, |
|
| FDS86140 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，11.2A，9.8mΩ |
|
| FDS86141 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 7 A, 23 |
|
| FDS86141 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，7A，23mΩ |
|
| FDS86240 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 7.5 A, |
|
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