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FDS6982SD84Z

更新时间： 2024-09-23 19:39:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 539K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6982SD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6.3 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6982SD84Z 数据手册

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September 2000  
FDS6982S  
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrenchSyncFet™  
General Description  
Features  
The FDS6982S is designed to replace two single SO-8  
MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies that provide various peripheral voltages  
for notebook computers and other battery powered  
electronic devices. FDS6982S contains two unique  
30V, N-channel, logic level, PowerTrench MOSFETs  
designed to maximize power conversion efficiency.  
•
Q2:  
Optimized to minimize conduction losses  
Includes SyncFET Schottky body diode  
8.6A, 30V RDS(on) = 0.016Ω=@ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.022Ω=@ VGS = 4.5V  
•
Q1:  
Optimized for low switching losses  
Low Gate Charge ( 8.5 nC typical)  
The high-side switch (Q1) is designed with specific  
emphasis on reducing switching losses while the low-  
side switch (Q2) is optimized to reduce conduction  
losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode  
using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.  
6.3A, 30V  
RDS(on) = 0.028Ω=@ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.035Ω=@ VGS = 4.5V  
D1  
D1  
5
6
7
8
4
D2  
Q1  
3
2
1
D2  
Q2  
G1  
S1  
SO-8  
G2  
S2  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
Q2  
Q1  
Units  
V
V
A
30  
20  
8.6  
30  
30  
20  
6.3  
20  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
1
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6982S  
FDS6982S  
13”  
12mm  
2500 units  
FDS6982S Rev C(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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